# Hoe kun je meerdelige zonnecellen beter snijden? > Een Nano Energy-studie van de Soochow Universiteit weerlegt 20 jaar industriële wijsheid: bij snijden met weinig schade verzamelt de p-n-junctiezijde juist ![Hoe kun je meerdelige zonnecellen beter snijden?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260805/15ce62ff44f3df3b9754e60099c852f1.webp) - ** 2026-08-05 - ** 175 Weergaven - ** [Blog](./Blog.html) ## Hoe kun je meerdelige zonnecellen beter snijden? **Snel antwoord:** Het snijden van een volledige cel in helften, derden of kleinere stukken verhoogt het modulevermogen door de stroom die elke strook draagt te verlagen, wat het resistieve verlies in de ribbon vermindert. Het voordeel neemt af naarmate de strook kleiner wordt, en de mechanische kosten nemen toe. Drie benaderingen domineren. Laserscriben gevolgd door mechanisch breken is het snelst en introduceert de minste thermische belasting, maar de kwaliteit van de breekrand hangt af van de scriepdiepte. Volledig lasersnijden scheidt de cel met alleen de bundel en geeft een schonere rand bij lagere snelheid. Thermische laserscheiding combineert een laser met een koelstap zodat de scheur zich langs een gecontroleerd pad voortplant. De relevante afmetingen lopen van een laser golflengte van 532 nm via feature-afmetingen nabij 1 µm en 20 µm tot 100 µm, en de strookspanning is laag — ongeveer 0,55 V — dus de winst komt uit weerstand, niet uit spanning. PV-moduleproductie · door Jerry, Ooitech ## Inleiding TOPCon, SHJ- en BC-cellen" title="Hoe kun je meerderdelige zonnecellen beter snijden? De contra-intuïtieve waarheid over randverlies in n-type TOPCon-, SHJ- en BC-cellen"/> Op zoek naar hoger modulevermogen snijden ingenieurs vaak één grote cel in 1/2, 1/3 of zelfs meer "kleine cellen", en verbinden ze die vervolgens in serie en parallel in een module. Het doel is om de stroom te verlagen en het resistieve vermogensverlies te verkleinen. Maar elke snede laat een niet-gepassiveerde "wond" achter langs de celrand. Die wonden worden carrier-vallen en tasten de open-klemspanning (Voc) en vulfactor (FF) aan. Hoe kleiner de subcel, hoe meer dit rand-recombinatieverlies schaadt. De meest gangbare industriële methode van vandaag, "laserscriben + mechanisch splijten" (L&C), laat ernstige thermische schade achter langs de snede. En jarenlang was het veld het over één ding eens: scriben aan de p-n-junctiezijde veroorzaakt de meeste schade, dus "de p-n-junctiezijde is de belangrijkste bottleneck voor randverlies". Die overtuiging leidde tot de standaardtruc van "scriben vanaf de n-n+-zijde om de p-n-junctie te beschermen". Maar weerspiegelt dat algemeen aanvaarde "gezond verstand" echt het intrinsieke elektrische gedrag van de p-n-junctie? Of is het slechts een artefact van laserwarmte? ## Kernbevinding: Een intrinsiek elektrisch gedrag dat de consensus doorbreekt Een onderzoeksteam van het FUNSOM-instituut van de Soochow Universiteit publiceerde werk in Nano Energy met een nieuwe snijmethode met lage schade die ze "45° rotatiesplijting" noemen. Het omzeilt slim de thermische schade van de laser en onderzoekt het echte intrinsieke elektrische gedrag van de p-n-junctierand. De conclusie verraste de industrie: Bij snijden met lage schade is de rand-carriercollectie-efficiëntie aan de p-n-junctiezijde zelfs hoger dan aan de n-n+-zijde. Simpel gezegd: scriben vanaf de p-n-junctiezijde is de betere industriële strategie. Dat zet twintig jaar aan geaccepteerde praktijk op zijn kop. ## Hoe de celrand openen zonder deze te beschadigen Om het "intrinsieke elektrische gedrag van de p-n-overgang" te bestuderen, moet je eerst een lastig probleem oplossen. Traditioneel [lasersnijden](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) laat een opnieuw gesmolten en opnieuw gestold laag achter, plus microscheuren en een hoop thermische schade langs de rand, en dat alles vertroebelt elke observatie van de p-n-overgang en het oppervlakterecombinatiegedrag. Het team koos een andere weg en gebruikte de anisotrope splijtingseigenschap van siliciumkristallen om een "45° roterende splijtmethode" voor te stellen: Stap één: draai de wafer 45° in het vlak. Stap twee: kras een ondiepe lijn op het (100)-vlak met een diamantkrasser. Stap drie: splijt langs het {110}-vlakkenfamilie om een atomair vlakke, thermisch onbeschadigde doorsnede te krijgen. De randdoorsnede die op deze manier wordt verkregen, behoudt zijn structurele en elektrische integriteit. Gecombineerd met een fotospanning-beeldvormingstechniek met micrometerresolutie, kun je het elektrische gedrag nabij de rand punt voor punt scannen, zonder de p-n-overgang te beschadigen. Het experiment gebruikte een 532 nm laser (penetratiediepte ongeveer 1,3 µm), die ongeveer 1 µm ruimtelijke resolutie bereikte onder een 50× objectief, duidelijk genoeg om het fotospanningsvervalgedrag binnen tientallen micrometers van de rand vast te leggen. ## Experimentele bevindingen Figuur 1. Effect van snijden op de integriteit van de p-n-overgang (a, b), schematische weergave van de 45° rotatiesplijtmethode (c, d), en schema's van de drie hoogrendementscelstructuren (e-g). Figuur 1a toont het traditionele L&C-proces dat op de p-n-overgangszijde krassen maakt: eerst ablateert een laser een groef op het celoppervlak (de lasermarkering), daarna breekt mechanische kracht de cel uit elkaar. Figuur 1b is de SEM-doorsnede van de rand na L&C-snijden. Je kunt duidelijk zien dat de doorsnede in twee zones splitst. Het bovenste deel is het "laserablatiegebied", met een duidelijk hersmolten en opnieuw gestold uiterlijk. Het onderste deel is het "spanningsgescheiden gebied", gescheurd door mechanische kracht, met veel onregelmatige microscheuren en smeltpoelen. Deze thermische schade is precies wat de lekstroompiek en de daling in celprestaties veroorzaakt. Het is vermeldenswaard: wanneer de laser op de p-n-overgangszijde krassen maakt, wordt de p-n-overgang zelf volledig vernield door de hitte. Dus het "fenomeen" dat de industrie altijd zag, namelijk dat "de p-n-overgangszijde de bottleneck is voor randverlies", is eigenlijk een artefact van thermische schade. Figuur 1c toont de hier voorgestelde 45° rotatie-splijtmethode: draai de wafer 45° rond de in-vlak-as, kras het (100)-vlak met een diamantkraspen en scheur vervolgens langs het {110}-splijtvlak. Figuur 1d is de SEM-opname van de gespleten rand, schaalbalk 20 µm. De doorsnede is extreem vlak en schoon, zonder enige smeltsporen, waardoor de structuur en elektrische integriteit van de p-n-overgang perfect behouden blijven. Dat is de sleutel tot het bestuderen van "intrinsiek gedrag". Dit werk bekijkt drie gangbare n-type hoogrendementsceltechnologieën: TOPCon, SHJ en TBC. Ze delen een gemeenschappelijk kenmerk. Op een n-type c-Si-substraat dragen ze zowel een p-n-overgang (homo- of heterojunctie) als een n-n+ hoog-laagovergang. Het bestuderen van hun randgedrag geeft dus directe richtlijnen voor echte industriële productie. Figuur 2. Analyse van de fotospanning aan de voorzijde van TOPCon-, SHJ- en TBC-cellen. Figuur 2a toont de 532 nm-laserscan van de celrand aan de voorzijde naar binnen, in combinatie met een XY-precisietafel en een elektrische versterker om het fotospanningssignaal in realtime vast te leggen, en uiteindelijk een 2D-fotospanningskaart op te bouwen. Figuur 2b is het fotospanningsbeeld aan de voorzijde van TOPCon, SHJ en TBC (van links naar rechts). Een helderdere kleur betekent een hogere fotospanning. Alle drie de cellen vertonen een duidelijke "gradiëntband" binnen ~100 µm van de rand, met een lagere fotospanning dichter bij de rand. Dat is het directe bewijs van randrecombinatieverlies. Vergelijking van de drie: TOPCon heeft de hoogste fotospanning (0,40–0,55 V) en verzadigt het snelst. TBC heeft de laagste (0,36–0,49 V) en vervalt het langzaamst, wat betekent dat de randrecombinatie het slechtst is. Dit resultaat gaat in tegen de algemene opvatting dat "de p-n-overgang de bottleneck is", omdat de voorzijde (de lichtgerichte zijde) meestal precies de plek is waar de p-n-overgang zich bevindt. Figuur 2c normaliseert het fotospanningsprofiel dat is geëxtraheerd langs de zwarte stippellijn in Figuur 2b. Alle drie de curven vertonen "laag aan de rand, hoog op het plateau", maar de verzadigingssnelheid (die de randrecombinatielengte weerspiegelt) verschilt duidelijk: - TOPCon: kortste vervalgebied, bijna verzadigd binnen ongeveer 100 µm, kleinste randverlies. - SHJ: middelmatig vervalgebied, bijna verzadigd bij ~200 µm. - TBC: langzaamste herstel, reikt helemaal tot ~500 µm voordat volledige verzadiging optreedt, het slechtste randverlies. Figuur 2d verklaart de fysica achter de verschillen. Een fotogegenereerd gat eindigt met een van twee dingen: verzameld worden door een elektrode, of naar de rand drijven en recombineren. ### TOPCon: emitter aan de voorzijde, ultrakort gatverzamelpad Het vooroppervlak is een p+ emitter. Gaten hoeven alleen de zeer dunne emitter over te steken om door de voorste elektrode te worden opgevangen, dus de meeste gaten "krijgen nooit de kans" om de rand te bereiken. Tegelijkertijd blijft het sterke veld gevormd door p+ emitter / SiOx / n-poly-Si ook aan de rand effectief, waardoor ladingsdragers snel worden gescheiden. Dat is de fundamentele reden waarom TOPCon het kleinste randverlies heeft. ### SHJ: de voorkant verzamelt elektronen, gaten nemen de lange weg Het SHJ-vooroppervlak is n-a-Si:H, dat elektronen verzamelt. Gaten moeten helemaal naar de achterste p-a-Si:H diffunderen voordat ze kunnen worden opgevangen, een zeer lange weg. Voeg daarbij de zeer geleidende TCO-laag die als een "snelweg" fungeert en veel gaten lateraal naar de rand transporteert, en het randrecombinatie neemt merkbaar toe. ### TBC: alle elektroden aan de achterkant, totale uitschakeling Bij TBC zitten alle elektroden aan de achterkant. Ladingsdragers die aan het vooroppervlak worden gegenereerd, moeten lateraal over de hele wafer reizen om te worden opgevangen. Bovendien bevat de passivatielaag van Al2O3 aan de voorkant veel vaste negatieve lading, wat een gataccumulatielaag op het Si-oppervlak induceert en een "gatengeleidingskanaal" vormt dat gaten nog harder naar de rand duwt. Korte opmerking: het fotospanningsgedrag aan de voorkant wordt voornamelijk bepaald door twee dingen, de "afstand voor ladingsdragersverzameling" en "of er een lateraal transportkanaal bestaat", en het heeft niets te maken met de richting van de p-n-junctie zelf. Figuur 3. Analyse van de fotospanning aan de achterrand van TOPCon-, SHJ- en TBC-cellen. Figuur 3a schetst de laserscanning vanaf de achterrand. Figuur 3b is de bijbehorende 2D-fotospanningskaart. Vergeleken met figuur 2b vertonen alle drie de cellen een lagere fotospanning aan de achterkant dan aan de voorkant (omdat het vooroppervlak meestal een beter antireflectieontwerp en een hogere lichtbenutting heeft). Figuur 3c onthult iets interessants: de "winnaar" aan de achterrand wordt TBC. Hoewel SHJ ook een p-n-junctie aan de achterkant heeft, is de fotospanning aan de rand eigenlijk lager dan die van TOPCon, wat verder aantoont dat de "positie van de p-n-junctie" niet de enige factor is die het randverlies bepaalt. Figuur 3d schetst het transportmechanisme van minderheidsladingsdragers aan de achterkant. De achterkant is bijzonder: de achterste n-poly-Si bevat een hoge concentratie elektronen, wat een sterk veld vormt dat gaten onderdrukt maar de verzameling van elektronen bevordert. ### Achterkant van TOPCon: de "snelle baan" voor gaten wordt onderdrukt De hoge elektronenconcentratie in het achterste n-poly-Si onderdrukt het transport van gaten. Gaten moeten het hele n-type c-Si substraat oversteken om de front p+ emitter te bereiken voordat ze worden verzameld. Dit "transport over lange afstand" maakt de fotospanning aan de achterzijde over het algemeen lager, maar het vermindert ook het aantal gaten dat de rand bereikt. ### SHJ achterzijde: de heterojunctie is sterk, maar de TCO is een tweesnijdend zwaard De n-type c-Si / p-a-Si:H heterojunctie van SHJ biedt inderdaad een sterkere ladingsscheiding dan TOPCon, maar de TCO heeft een lage laterale weerstand en "kortsluit" nog steeds een aanzienlijk deel van de gaten naar de rand. Het resultaat: sterk scheidingsvermogen staat niet gelijk aan klein randverlies. ### TBC achterzijde: de gat-HSC bevindt zich direct aan de achterzijde, een thuisvoordeel De HSC aan de achterzijde van TBC staat direct tegenover de fotogegenereerde gaten. Dragers worden direct aan de achterzijde verzameld, waardoor er veel minder naar de rand stromen en de fotospanning aan de achterzijde het snelst verzadigt. Korte opmerking: het gedrag van de fotospanning aan de achterzijde vertoont een "omgekeerde" trend ten opzichte van de voorzijde. TBC is het slechtst aan de voorzijde maar het best aan de achterzijde, wat aantoont dat "welke kant het licht ontvangt" belangrijker is dan "welke kant de p-n junctie is". Figuur 4. Dwarsdoorsnede fotospanningsdistributiemodel van TOPCon en SHJ cellen. Als figuren 2 en 3 naar de rand "van opzij" kijken, snijdt figuur 4 deze "dwars" door. De laser scant direct op de dwarsdoorsnede, zodat je het volledige elektrische gedrag van p-n-overgang tot n-n+ in één keer ziet. Dit is het meest originele deel van de studie. Figuur 4a is de dwarsdoorsnede-fotospanningskaart van TOPCon, van links naar rechts de voorzijde (p+ emitter / p-n-overgang) en de achterzijde (n-poly-Si / n-n+-overgang). Je kunt zien dat de linkerkant (p-n-overgang) over het algemeen helderder is, en de rechterkant (n-n+) donkerder. De curve in figuur 4b is zeer duidelijk: van de p-n-overgangszijde naar de n-n+-zijde neemt de fotospanning monotoon af, met het gehele vervalgebied rond 100 µm. Dit resultaat verwerpt ronduit de traditionele opvatting dat "de p-n-overgang de bottleneck voor randverlies is", omdat onder omstandigheden met lage schade de p-n-overgangszijde juist de zone met hoge fotospanning is. Figuur 4c geeft de fysieke reden: aan de p-n-overgangszijde (p+ emitter) leggen de minderheidsdragers (gaten) slechts een korte afstand af om te worden verzameld, terwijl aan de n-n+-zijde (het n-poly-Si-gebied) gaten het gehele n-type c-Si moeten doorkruisen om de p+ emitter te bereiken, een lange weg met hoge recombinatiekans, dus het verlies is groter. Figuren 4d–f tonen exact dezelfde trend bij SHJ-cellen: van de achterste p-n-overgang (p-a-Si:H / n-c-Si) naar de voorste n-n+-overgang (i/n-a-Si:H / n-c-Si) neemt de fotospanning opnieuw monotoon af. Deze regelmaat die over verschillende celstructuren geldt, is een van de kernargumenten van de studie. Om dit kwantitatief te beschrijven, heeft het team een eendimensionaal diffusiemodel voor minderheidsdragers afgeleid. Figuur 4g is de modelschematische weergave, die de curve (oranje) toont die monotoon afneemt van de p-n-overgangszijde (gatenselectief contact, HSC) naar de ESC-zijde (elektronenselectief contact, ESC). Figuur 4h vergelijkt verder het dragergedrag aan de HSC- en ESC-zijden: - HSC-zijde: minderheidsdragers (gaten) worden over een korte afstand verzameld, lage recombinatiekans. - ESC-zijde: minderheidsdragers moeten over een lange afstand diffunderen om de HSC te bereiken, met onderweg veel recombinatie. - Het ladingsscheidingsmechanisme van de p-n-overgang heeft het dubbele voordeel van sterk gedoteerd contact plus passiverend contact, efficiënter dan een gewone hoog-laagovergang (n-n+). Korte opmerking: het dwarsdoorsnede-fotospanningsmodel bevestigt kwantitatief dat "de elektrische prestaties van de p-n-overgangszijde beter zijn dan die van de n-n+-zijde", en stelt de "diffusielengte van minderheidsdragers L" voor als nieuwe maatstaf voor het evalueren van randverlies. Figuur 5. Dwarsdoorsnede-fotospanningsanalyse van een TOPCon-cel gemaakt met de industriële thermische laserscheiding (TLS) methode. Om te controleren of de conclusie van de 45° splijtmethode geldt voor industrieel snijden, gebruikte het team de "thermische laserscheiding" (TLS) methode (Figuur 5a) — eerst behandelt een laser de p-n junctiezijde (de Pre-grooving in de figuur), daarna helpt koelwater bij de scheiding. TLS is tegenwoordig een van de erkende laag-schade snijtechnieken. Figuur 5b is de dwarsdoorsnede fotospanningsafbeelding van TOPCon na TLS-snijden: de linkerkant (p-n junctie) is duidelijk helderder dan de rechterkant (n-n+). De kwantitatieve curve in Figuur 5c laat zien dat van de p-n junctie naar de achterkant, de fotospanning nog steeds monotoon daalt, volledig consistent met het 45° splijtresultaat. Belangrijke verificatie: zelfs met de industriële TLS-methode (rechtstreeks snijden vanaf de p-n junctiezijde), vertoont de fotospanning nog steeds de trend "hoge p-n junctie, lage n-n+". Dit zegt dat onder laag-schade snijden, de "p-n junctie" helemaal geen knelpunt is, maar juist waar het voordeel ligt. De eerdere industriële ervaring dat "de p-n junctiezijde beter presteert" bij TLS-snijden wordt nu bevestigd door zowel experiment als theorie. Figuur 6. Dwarsdoorsnede fotospanningsanalyse van TBC- en THBC-cellen, plus een schematische weergave van de laag-schade p-n junctie snijstrategie. Figuren 6a en 6b zijn de dwarsdoorsnede fotospanningsafbeeldingen van TBC- en THBC-cellen. TBC heeft de hoogste fotospanning, 0,39 V, en THBC is iets lager (0,21 V), maar beide vertonen de duidelijke ruimtelijke verdeling "heldere p-n junctie, donkere n-n+". De curven in Figuren 6c en 6d volgen hetzelfde patroon als Figuur 4: monotone daling van p-n junctie naar n-n+. Bijzonder vermeldenswaard is de kleine inzet in Figuur 6c: de "directionele verdeling" van fotospanning voor elke celstructuur vertoont een patroon "dicht linksboven, dun rechtsonder", wat betekent dat het elektrische voordeel van de p-n junctiezijde universeel is over structuren en processen. Figuur 6e legt uit wat achtercontactcellen bijzonder maakt: de HSC verzamelt gaten "dichtbij" aan de achterkant, en de ESC verzamelt elektronen "dichtbij" aan de achterkant. De minderheidscarriers (gaten) die in de p-n junctieregio worden gegenereerd, hoeven slechts een korte afstand af te leggen om de HSC te bereiken, dus het verlies is klein; de minderheidscarriers in de n-n+ regio moeten een lange reis maken, dus het verlies is groter. Dit patroon komt exact overeen met TOPCon en SHJ. Op basis van al dit bewijs stelde het team een gloednieuwe snijstrategie voor in Figuur 6f: ### Industrie-aanbeveling Bij laagschade-snijden (zoals TLS) moet u snijden vanaf de p-n-junctiezijde. Reden: de p-n-junctiezijde heeft een hogere ladingsdragerscheidingsrendement plus een kortere minderheidsdrager-transportpad. Zelfs bij enige procesverstoring behoudt het een behoorlijke elektrische prestatie. Deze aanbeveling keert twintig jaar aan 'vermijd het aanraken van de p-n-junctie'-industriegebruik om. ## Ooitech's Visie Eerlijk gezegd is dit een van die bevindingen die stilletjes een lijnniveau-gewoonte herschrijft in plaats van een kop-specificatie. De conclusie voor iedereen die een n-type lijn draait: koppel uw lasersnijrecept aan de eigen dragersfysica van de cel, en parkeer de kerf niet blindelings aan de n-n+-zijde alleen omdat dat de oude regel was. Laagschade-scheiding (TLS-stijl) is hier de echte facilitator, en het fijnregelen van dat proces op een zonnecel-lasersnijmachine is precies waar modulemakers echte Voc en FF winnen of verliezen. Wij bouwen onze snij- en stringstations om randschade laag te houden bij TOPCon, SHJ en BC-formaten, dus dit soort onderzoek vertaalt zich direct naar productie. Als u wilt zien hoe deze stappen eruitzien op een draaiende lijn, het Ooitech YouTube-kanaal op [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) het volgen waard. --- ##### Tags : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Vraag een offerte aan Alle uploads zijn veilig en vertrouwelijk. ## Wij leveren expertise waar u op kunt vertrouwen onze service Direct-van-fabriek apparatuur. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Kosteneffectieve voordelen Wij leveren uitzonderlijke waarde, maximaliseren resultaten en optimaliseren budgetten voor klanten. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Ons ervaren team Onze bekwame professionals specialiseren zich in innovatieve oplossingen en op maat gemaakte strategieën. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ jaar ervaring in de branche Diepgaande expertise zorgt voor betrouwbare, trendbewuste en bewezen resultaten voor succes. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Wat onze klant zegt over ons Klantgetuigenissen prijzen ons diepgaande begrip van hun uitdagingen, wat leidt tot innovatieve oplossingen en een sterk rendement op investering. Langdurige samenwerkingen—soms meer dan tien jaar—tonen hun vertrouwen en tevredenheid. Hun succesverhalen drijven ons om voortdurend de verwachtingen te overtreffen. [Meer weten **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Nogmaals heel erg bedankt voor de enorme hulp bij het verbeteren en repareren van de fabriek en ook het leren van de werknemers hoe ze de machines moeten gebruiken ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filipijnen ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dank aan Ooitech voor het leveren van de volledig geautomatiseerde productieapparatuur—uw installatie en after-sales service zijn uitstekend geweest. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Een man met een groot hart. Hartelijk dank voor uw bezoek, meneer Wu. Hartelijk dank voor de diensten bij het installeren van apparatuur en het trainen van mijn studenten. De vriendelijkste persoon en professional in zijn vakgebied ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dank aan Ooitech voor het leveren van zeer geschikte BC-zonnecel-experimentele apparatuur. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) bedankt voor de professionele ondersteuning van ooitech en de tijdige after-service. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra uit Afrika ## Onze Nieuwste Producten ![SAW-100A layup- en bussingmachine: ≤0,3% breuk](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp) - [** Rachael](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) - [** 19519](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) ### SAW-100A layup- en bussingmachine: ≤0,3% breuk De Ooitech SAW-100A automatische layup- en bussing-geïntegreerde machine levert hoogrenderende celstring-layup en eindbusbar-lassen met hoge ![Interconnectie-busbar – Stroom van zonnecelstring](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713037538.jpg.webp) - [** Rachael](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) - [** 96688](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) ### Interconnectie-busbar – Stroom van zonnecelstring Hoogwaardige interconnectie-busbaroplossingen voor de assemblage van zonnepanelen, met vertind koper van hoge zuiverheid ![Solar Cell Layup Machine WS-CL80D: 48s-cyclus, ±0,1 mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12228](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Solar Cell Layup Machine WS-CL80D: 48s-cyclus, ±0,1 mm De Ooitech WS-CL80D automatische opzetmachine voor zonnecellen heeft een onafhankelijke werking met dubbele portaal en dubbele grijper, lineaire motor aangedreven hoofdas met 0,01 mm ![OPT-M960B EL & VI Tester: 0,1 mm/pixel, Intel i7](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774351816741704.webp) - [** Rachael](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) - [** 43507](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) ### OPT-M960B EL & VI Tester: 0,1 mm/pixel, Intel i7 Ooitech biedt professionele zonnepaneel EL tester en VI tester machines (OPT-M960B, OPT-M951B, OPT-M950B) met SONY industriële camera's ![BD03 Frame lijmmachine: 3-4s per meter, 2500mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506308732524.webp) - [** Rachael](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) - [** 51726](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) ### BD03 Frame lijmmachine: 3-4s per meter, 2500mm BD03 CNC frame lijmmachine – geautomatiseerde aluminium frame kitapplicatie met nauwkeurige positionering, automatische toevoer en gelijkmatige lijmverdeling voor ![XJCM-13A+ Solar Module IV Tester: A+ Class, 25s](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp) - [** Rachael](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) - [** 67421](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) ### XJCM-13A+ Solar Module IV Tester: A+ Class, 25s XJCM-13A2615 IV-tester – A+A+A+, 2600×1500mm, 10–100ms puls voor PERC, HJT, TOPCon & IBC. Elimineert capaciteitseffect. IEC 60904-9:2020 conform.